[发明专利]一种聚噻吩掺杂硬质导电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201810548991.5 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108641338A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 查公祥 | 申请(专利权)人: | 查公祥 |
主分类号: | C08L71/12 | 分类号: | C08L71/12;C08L65/00;C08K3/34;C08J5/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 723100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种聚噻吩掺杂硬质导电薄膜,它是由下述重量份的原料组成的:噻吩30‑40、六水三氯化铁0.7‑1、蓖麻油酸1‑2、聚甘油脂肪酸酯1‑2、硼砂2‑3、2‑硫醇基苯骈咪唑0.5‑1、有机氮化硅3‑4、饱和十八碳酰胺0.8‑1、聚苯醚100‑110。本发明的薄膜加入了氮化硅,可以有效的提高成品薄膜的表面硬度和强度,采用聚噻吩与聚苯醚共混成膜,提高了导电稳定性。 | ||
搜索关键词: | 聚噻吩 导电薄膜 氮化硅 聚苯醚 硬质 掺杂 聚甘油脂肪酸酯 六水三氯化铁 导电稳定性 蓖麻油酸 表面硬度 成品薄膜 硫醇基苯 原料组成 混成膜 碳酰胺 重量份 硼砂 咪唑 制备 薄膜 饱和 | ||
【主权项】:
1.一种聚噻吩掺杂硬质导电薄膜,其特征在于,它是由下述重量份的原料组成的:噻吩30‑40、六水三氯化铁0.7‑1、蓖麻油酸1‑2、聚甘油脂肪酸酯1‑2、硼砂2‑3、2‑硫醇基苯骈咪唑0.5‑1、有机氮化硅3‑4、饱和十八碳酰胺0.8‑1、聚苯醚100‑110。
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