[发明专利]一种半导体存储器的存储单元电路及设计方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器的存储单元电路及设计方法，包括多个存储元电路，所述存储元电路包括存储元以及开关控制电路，所述存储元的输入端和输出都设置有开关控制电路，所述开关控制电路控制存储元的信号输入以及输出，所述存储元电路进行串联，将奇数列存储元输入端的开关电路控制端连接在同一导线A，将奇数列存储元的置零端连接在同一跟导线D，将偶数列存储元输入端的开关电路控制端连接在同一导线C，将偶数列存储元的置零端连接在同一跟导线B，工作时依次向导线A、B、C、D通入周期性的电信号；通过奇数列与偶数列交替，锁存器通过重复的数据存入，转移，清零，再存入，实现了数据的写入存储与读出使得数据存储稳定。

主权项

1.一种半导体存储器的存储单元电路，其特征在于，包括若干个存储元电路，所述存储元电路包括N沟增强型场效管M1、锁存器D、P沟增强型场效管M2，所述场效管M1的漏极作为存储元电路的数据输入端，场效管M1的源极连接锁存器D的输入端，所述锁存器D1的置零端连接电路信号B，锁存器D的正向输出端Q连接场效管M2的源极，锁存器D的反向输出端Q’连接场效管M2栅极，场效管M2的漏极端作为存储元电路的数据输出端；所述数据输出端与下一个存储元电路的数据输入端相连，形成若干个存储元电路串联，将存储元电路从第一个进行标号，第一个存储元电路为U1，第二个存储元电路为U2，第n个为存储元电路为Un，因此，形成奇数位标号的存储元电路为U1、U3、U(2n+1)以及偶数位标号的U2、U4、U(2n)，所述奇数位标号存储元电路U1、U3、U(2n+1)的场效管M1的栅极连接导线A，所述奇数位标号存储元电路U1、U3、U(2n+1)的锁存器置零端连接导线D，所述偶数位标号存储元电路U2、U4、U(2n)的场效管M1的栅极连接导线C，所述偶数位标号存储元电路U2、U4、U(2n)的锁存器置零端连接导线B；工作过程中，依次向导线A、B、C、D通入周期性的电信号。