[发明专利]蚀刻方法在审
| 申请号： | 201810551704.6 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987232A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 林育奇;林进兴;张宏睿;邱意为;郭昱纬;柯宇伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开一实施例提供一种蚀刻方法，包括在吸盘上安装晶圆，吸盘设置在蚀刻系统的腔室中，晶圆被聚焦环包围。当蚀刻部分晶圆时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第一期望垂直位置，以将蚀刻方向调整到第一期望蚀刻方向。当蚀刻部分晶圆时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第二期望垂直位置，以将蚀刻方向调整到第二期望蚀刻方向，第二期望垂直位置与第一期望垂直位置不同，第二期望蚀刻方向与第一期望蚀刻方向不同。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻方向 晶圆 蚀刻 期望垂直位置 聚焦环 垂直位置调整 期望 吸盘 蚀刻系统 吸盘设置 腔室 包围 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，包括：在一吸盘上安装一晶圆，该吸盘设置在一蚀刻系统的一腔室中，该晶圆被一聚焦环包围；当蚀刻部分该晶圆时，通过将该聚焦环相对于该晶圆的一垂直位置调整到一第一期望垂直位置，以将一蚀刻方向调整到一第一期望蚀刻方向；以及当蚀刻部分该晶圆时，通过将该聚焦环相对于该晶圆的该垂直位置调整到一第二期望垂直位置，以将该蚀刻方向调整到一第二期望蚀刻方向，该第二期望垂直位置与该第一期望垂直位置不同，该第二期望蚀刻方向与该第一期望蚀刻方向不同。
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