[发明专利]一种具有高硬高电阻率特性的高熵合金薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201810552149.9 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108677157B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 谈淑咏;方峰;刘晓东;霍文燚;王章忠 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙昱 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有高硬高电阻率特性的高熵合金薄膜制备方法，它是通过磁控溅射技术实现的。首先利用拼靶方式确定合金靶材的配比，靶材经预溅射后，在不同氮流量比条件下，采用直流磁控溅射方法沉积(CoCrFeNi)N |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 高硬高 电阻率 特性 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高硬高电阻率特性的高熵合金薄膜制备方法，其特征在于，采用磁控溅射技术制备高熵合金薄膜，通过拼靶确定合金靶材配比，然后对靶材进行预溅射，预溅射时使用氩气作为溅射气体，最后通入氮气，通过直流磁控溅射方法在经清洗的基底表面沉积(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜。
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