[发明专利]一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201810552207.8 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110634971A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 曾清华;张超华;谢志刚;王树林;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法，电池包括N型单晶硅片，依次设在硅片正面金字塔绒面上的第二本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、增透层，依次设在硅片背面P区的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜层、铜种子层、铜栅线电极，依次设在硅片背面N区金字塔绒面上的第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、第二透明导电膜层、铜种子层、铜栅线电极，依次设在硅片背面N/P交叠区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、绝缘层、第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、第二透明导电膜层、铜种子层及绝缘槽。本发明可以大幅增加工艺窗口，更适合于大规模化量产提升电池的短路电流、开路电压，进而提高电池片效率。 | ||
| 搜索关键词： | 本征非晶硅层 透明导电膜层 硅片背面 铜种子层 线电极 铜栅 金字塔 绝缘层 异质结太阳能电池 电池 电池片效率 短路电流 工艺窗口 硅片正面 开路电压 背接触 交叠区 绝缘槽 增透层 量产 制造 | ||
【主权项】：
1.一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：包括N型单晶硅片，依次设在硅片正面金字塔绒面上的第二本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、一层增透层，依次设在硅片背面P区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜层、铜种子层、铜栅线电极，依次设在硅片背面N区金字塔绒面上的第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、第二透明导电膜层、铜种子层、铜栅线电极，依次设在硅片背面N/P交叠区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、绝缘层、第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、第二透明导电膜层、铜种子层及绝缘槽。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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