[发明专利]一种CuInSe2 有效
| 申请号： | 201810553132.5 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108511594B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵德刚;吴迪;薄琳;王琳 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 贾波 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
一种CuInSe |
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| 搜索关键词： | 一种 cuinse base sub | ||
【主权项】：
1.一种CuInSe2/CuInTe2热电复合材料的制备方法，其特征是包括以下步骤：（1）以铜粉、铟粉、碲粉为原料，采用熔融‑退火法制得Te缺位的CuInTe2‑x热电材料粉体；（2）将Te缺位的CuInTe2‑x热电材料粉体置于硒蒸汽的环境中进行渗硒处理，形成CuInSe2/CuInTe2热电复合材料粉体；（3）渗硒处理后，将所得CuInSe2/CuInTe2热电复合材料粉体进行急速热压烧结，得CuInSe2/CuInTe2热电复合材料块体。
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