[发明专利]基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法

摘要

本发明涉及一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，该方法提高了CMOS工艺器件抗总剂量能力，解决了CMOS器件在空间辐射中长时间应用，使电子器件性能退变，甚至功能失效的问题。其包括1)确定待加固CMOS工艺器件的最优退火温度和最佳退火时间；2)确定调节电流及将CMOS工艺器件进行封装；2.1)在基片上制作加温电阻；2.2)对基片进行加热，将基片加热至最优退火温度值，确定此时的电流值为调节电流；2.3)将待加固的CMOS工艺器件与基片连接、封装，同时在CMOS工艺器件的管壳中增加温度控制管脚；3)根据步骤1)获得的最佳退火时间和步骤2.2)确定的调节电流对待加固的CMOS工艺器件进行加热，从而提高CMOS工艺器件的抗总剂量的能力。

主权项

1.一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)确定待加固CMOS工艺器件的最优退火温度和最佳退火时间；/n2)确定调节电流，将CMOS工艺器件进行封装；/n2.1)在基片上制作加温电阻；/n2.2)对基片进行加热，将基片加热至最优退火温度，确定此时的电流值为调节电流；/n2.3)将待加固CMOS工艺器件与基片连接、封装，同时在CMOS工艺器件的管壳中增加温度控制管脚；/n3)当累积总剂量达到规定总剂量时，根据步骤1)获得的最佳退火时间和步骤2.2)确定的调节电流对待加固的CMOS工艺器件进行加热，从而提高CMOS工艺器件的抗总剂量；/n步骤1)具体包括以下步骤，/n1.1)选取待加固的同批次CMOS工艺器件，分A、B两组，对A组和B组器件进行常规封装，并开展电学性能测试，筛选出性能稳定的器件；/n1.2)对A组样品进行总剂量辐照实验，获得该批次实验样品抗总剂量辐射的能力；/n1.3)对B组器件进行总剂量辐照实验，累积辐照总剂量至步骤1.2)总剂量值的80％；/n1.4)将步骤1.3)辐照后的样品进行再次分组，将各组样品进行不同温度的退火实验，在不同温度值的退火过程中选取多个时间点，对各组器件的电特性进行测试；/n1.5)在步骤1.4)的测试结果中选取电特性测试恢复最快的温度为最优退火温度，性能恢复到退火前的10％以内所对应时间为最佳退火时间。/n