[发明专利]一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法

摘要

本发明公开了一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法，其特征在于，用硅树脂对莫来石和丝瓜络进行改性，其三维网状结构会将莫来石颗粒和丝瓜络管状纤维包覆在其中，形成互相穿插的三维结构，当温度高于600℃时，硅树脂主链发生降解形成SiO2保留在陶瓷样品中，同时保留了丝瓜络的管状结构，可以形成互相穿插的孔隙结构，进一步增大了陶瓷的孔隙率；另一方面，硅树脂主链发生降解形成SiO2保留在陶瓷样品后，可以起到粘结骨料的作用，减少裂纹和残余应力等缺陷，结合莫来石的支撑、融合作用，改善陶瓷粉末颗粒的烧结性能，提高强度。

主权项

1.一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将以重量份计的5‑10份丝瓜络放入30‑50份的稀盐酸溶液中浸泡15‑25h，然后煮10‑30min后，滤掉溶液，将丝瓜络反复清洗至中性后放入烘箱，在70‑100℃下烘干10‑15 h，得到处理过的干丝瓜络；（2）将步骤（1）所得干丝瓜络加入到30‑50份水溶性酚醛树脂中，充分浸没20‑30h，将浸渍过后的丝瓜络取出，放入烘箱中，在90‑110℃烘干下烘干8‑10h；然后将其转入到高温电阻炉里面，在180‑220℃下预氧化1‑3 h，通入保护气体 N2，在500‑600 ℃下炭化5‑15min；（3）将10‑20份莫来石在80‑120℃下真空干燥10‑20h，去除水分后，加入8‑15份硅树脂粉末和步骤（2）所得物进行球磨混合10‑20h，让莫来石和丝瓜络表面均匀地吸附硅树脂涂层；（4）将80‑120份碳化硅球磨10‑15h后，与步骤（3）所得物混合球磨1‑3h，待混合物混合均匀后，称取一定量的混合物，利用干法压片机压制成型，其成型压力为 20‑40MPa，保压时间为1‑3min；（5）将步骤（4）所得压制好的样品置于80‑120℃的烘箱中放置10‑15h后，转入到马弗炉中进行升温烧制，升温速率为3‑5℃/min,当温度达到250‑350℃时保温1‑2h，600‑800℃时保温1‑2h，1200‑1400℃时保温1‑2h，最后以4‑6℃/min的速率冷却至室温即可。