[发明专利]用于CsB4O6F晶体生长的双层坩埚及CsB4O6F晶体生长方法在审
| 申请号： | 201810555037.9 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108560044A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王晓洋;刘丽娟;陈创天 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/12 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;武玥 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双层坩埚：底部设晶体淘汰结构的坩埚内层置于坩埚外层内；位于外层顶端的外层封头；封头上设与抽气系统相连的直管；直管与坩埚外层和内层相通；封头与坩埚外层顶端熔封以使坩埚外层完全包纳坩埚内层；其氟硼酸铯晶体生长步骤：将晶体生长原料装内层中；将内层置外层之中；将封头与外层熔封；通过直管抽真空，抽真空条件下将直管熔封；或抽真空度后再通过直管向坩埚外层和内层充惰性气体，在惰性氛围下将外层直管熔封，以使坩埚外层完全密闭包纳坩埚内层；熔封后的双层坩埚置入坩埚下降生长炉中，通过坩埚下降法进行氟硼酸铯晶体生长；本该双层坩埚综合了石英坩埚、惰性金属和碳基坩埚优点并克服了其缺点，从而高效地用于氟硼酸铯晶体生长。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚外层 直管 熔封 晶体生长 双层坩埚 内层 坩埚内层 氟硼酸 封头 抽真空 坩埚 晶体生长步骤 晶体生长原料 坩埚下降法 抽气系统 抽真空度 惰性氛围 惰性金属 惰性气体 石英坩埚 外层顶端 生长炉 密闭 碳基 置入 相通 淘汰 | ||
【主权项】：
1.一种用于生长氟硼酸铯晶体的双层坩埚，其特征在于,其组成具有：一个用于装载氟硼酸铯晶体生长原料的底部具有晶体淘汰结构的坩埚内层；一个坩埚外层；所述坩埚内层置于坩埚外层之内，坩埚内层的晶体淘汰结构位于所述坩埚外层的底部；一个位于所述坩埚外层顶端的外层封头；所述外层封头上端设有用于与抽气系统相连的封头直管；所述封头直管与所述坩埚外层及坩埚内层相通；所述坩埚内层材质为惰性金属材质或碳基材质；所述坩埚外层材质为石英材质；所述坩埚外层的内高大于坩埚内层的高度，以使封头与坩埚外层顶端熔封后坩埚外层完全包纳坩埚内层。
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