[发明专利]一种沟槽式MOS势垒肖特基二极管及制造方法

摘要

一种沟槽式MOS势垒肖特基二极管及制造方法，属于半导体技术领域。包括沟槽式MOS势垒肖特基芯片以及分别引出的阴极和阳极，包括衬底（6）以及外延层（4），在外延层（4）的表面设置有有源区沟槽（5）和耐压环沟槽（3），其特征在于：芯片切割位置（12）在所述耐压环沟槽（3）的中部，自芯片切割位置（12）切割形成切割面（10），在切割面（10）及上下边缘区有钝化层（16）覆盖。在本沟槽式MOS势垒肖特基二极管及制造方法中，在耐压环沟槽中部进行切割，取消了现有技术中耐压环弯曲弧度部位，提高了芯片的耐压性能，同时只采用一道光刻实现芯片的制造，使工艺复杂程度以及生产成本大大降低。

主权项

1.一种沟槽式MOS势垒肖特基二极管，包括沟槽式MOS势垒肖特基芯片以及自芯片上通过引线（15）分别引出的阴极和阳极，沟槽式MOS势垒肖特基芯片包括衬底（6）以及衬底（6）上方的外延层（4），在外延层（4）的表面设置有有源区沟槽（5）和位于有源区外圈的耐压环沟槽（3），在外延层（4）的表面形成有与引线（15）连接的阳极金属层（1），在衬底（6）的底面形成与引线（15）连接的阴极金属层（8），其特征在于：芯片切割位置（12）在所述耐压环沟槽（3）的中部，自芯片切割位置（12）切割形成切割面（10），在切割面（10）及切割面（10）的上下边缘处覆盖有钝化层（16）。