[发明专利]一种聚合物基介电材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810557675.4 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN108748942A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 李海涛;钱叶球;邢武装 申请(专利权)人: 芜湖市亿仑电子有限公司
主分类号: B29C47/06 分类号: B29C47/06;B29C47/92;C08L27/16;C08K9/12;C08K3/08;C08K3/22;B29L9/00;B29L7/00
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 杨红梅
地址: 241000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种聚合物基介电材料的制备方法,涉及介电材料技术领域,该制备方法以负载Ag的陶瓷粒子为填料,聚偏氟乙烯为聚合物基体,先采用物理球磨和化学表面活性剂相结合的方法对陶瓷粒子进行表面改性,然后采用超声辅助磁控溅射的方法对改性后的陶瓷粒子经负载金属Ag制备成复合填料,最后将聚偏氟乙烯和复合填料采用交替多层共挤挤出,本发明制备的聚合物基介电材料具有较高的击穿场强,储能密度,介电常数和低介电损耗,且制备方法功耗小,环保无污染。
搜索关键词: 制备 介电材料 聚合物基 陶瓷粒子 聚偏氟乙烯 复合填料 化学表面活性剂 低介电损耗 聚合物基体 表面改性 超声辅助 磁控溅射 多层共挤 负载金属 击穿场强 介电常数 物理球磨 储能 改性 功耗 挤出 环保
【主权项】:
1.一种聚合物基介电材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:1)填料预处理:将纳米陶瓷粒子与表面活性剂置于高速球磨机中,进行球磨预处理8‑15min,得预处理纳米陶瓷粒子;2)复合填料制备:采用超声辅助磁控溅射方法,将金属Ag负载在预处理纳米陶瓷粒子表面,得复合填料;3)聚合物基介电材料的制备:将复合填料与聚偏氟乙烯在70‑80℃下真空干燥70‑80min,干燥后将复合填料与聚偏氟乙烯进行挤压熔融预混,最后将预混料和聚偏氟乙烯进行交替多层共挤挤出,得聚合物基介电材料。
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