[发明专利]一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810560536.7 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108707865A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备，离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源，线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源；将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中，开启离子束沉积设备，使氩离子轰击钨靶，同时开启线性离子源沉积设备，进行碳源的注入，钨与碳相反应得到钨掺杂类金刚石薄膜；整个过程中离子束沉积设备与线性离子源沉积设备都是单独工作，不相互干扰，工艺参数各自设定；整个过程碳与钨简单的进行反应，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束沉积 线性离子源 沉积设备 类金刚石薄膜 钨掺杂 衬底 钨靶 制备 氩离子轰击 衬底表面 真空腔室 掺杂源 可控性 甲烷 油污 去除 离子 连通 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备，离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源，线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源；将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中，开启离子束沉积设备，使氩离子轰击钨靶，同时开启线性离子源沉积设备，进行碳源的注入，钨与碳相反应在衬底上得到钨掺杂类金刚石薄膜。
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