[发明专利]一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳及其制造方法有效
| 申请号： | 201810562755.9 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108411371B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 裴延玲;宫声凯;林杰;李树索;胡斌 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B19/00;B22D27/20;B22C9/04 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100089*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，包括依次连接的一级放大器、一级引晶段、二级放大器和二级引晶段，一级放大器和二级放大器均为两端开口的圆锥形壳体，一级引晶段和二级引晶段均呈两端开口的圆柱形壳体，一级放大器直径较大的一端与一级引晶段密封连接，一级引晶段的另一端密封连接有圆环形挡板，圆环形挡板的内圈与二级放大器直径较小的一端密封连接，二级放大器直径较大的一端与二级引晶段的一端密封连接。一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳的制造方法，首先制造蜡模，并在蜡模外壁涂挂陶瓷，然后经脱蜡和焙烧得到模壳。本发明籽晶法单晶生长取向精确控制模壳及制造方法提高了籽晶法制备单晶合金的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 法单晶 生长 取向 精确 控制 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：包括依次连接的一级放大器、一级引晶段、二级放大器和二级引晶段，所述一级放大器和所述二级放大器均为两端开口的圆锥形壳体，所述一级引晶段和所述二级引晶段均呈两端开口的圆柱形壳体，所述一级放大器直径较大的一端与所述一级引晶段密封连接，所述一级引晶段的另一端密封连接有圆环形挡板，所述圆环形挡板的内圈与所述二级放大器直径较小的一端密封连接，所述二级放大器直径较大的一端与所述二级引晶段的一端密封连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810562755.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制备镍基单晶高温合金的方法
- 下一篇：一种真空腔室腔内升降机构
