[发明专利]晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

摘要

本发明提供了一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。该装置用于对基台吸附的晶圆进行清洗，基台具有承载晶圆的第一表面，该晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴，去离子水喷嘴设置于基台的第一表面上方，各去离子水喷嘴的喷射方向不同，且各去离子水喷嘴的喷射方向与第一表面之间具有夹角θ，0°＜θ＜90°。通过使去离子水喷嘴的喷射方向倾斜于晶圆表面，还能够减缓去离子水对晶片上残留物缺陷的压力，使中间的缺陷不易形成，并且还能够增加对缺陷的水平推力，减少中间已有的缺陷，进而大大提升了工艺良率；另一方面，相比于现有技术中垂直于晶圆的喷嘴，采用上述晶圆清洗装置不需要较长的清洗时间，从而缩短了显影工艺的周期。

主权项

1.一种晶圆清洗装置，用于对基台(10)吸附的晶圆(20)进行清洗，所述基台(10)具有承载所述晶圆(20)的第一表面，其特征在于，所述晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴(30)，所述去离子水喷嘴(30)设置于所述基台(10)的第一表面上方，各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向不同，且各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向与所述第一表面之间具有夹角θ，0°＜θ＜90°。