[发明专利]一种基于铝碲合金的存储器双向选通管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于铝碲合金的存储器双向选通管及其制备方法，该选通管包括：衬底(1)；在衬底(1)上方形成布线沟槽，并沉积扩散阻挡层(3)，扩散阻挡层(3)覆盖全部布线沟槽表面，钨布线下电极(2)设置在布线沟道中，与扩散阻挡层(3)接触；绝缘层(4)，设置在钨布线下电极(2)暴露的表面上，且与钨布线下电极(2)相接触，绝缘层(4)内设置有两个钨栓塞(5)，并且两个钨栓塞的侧壁被扩散阻挡层(3)覆盖，其中一个钨栓塞(5)利用阈值转变层(6)覆盖且与布线下电极(2)相接触，另一个钨栓塞(5)用惰性金属材料覆盖且与布线下电极(2)接触，形成下电极引线(7)；上电极(8)，设置在阈值转变层(6)上。

主权项

1.一种基于铝碲合金的存储器双向选通管，包括：衬底(1)；在所述衬底(1)上方形成布线沟槽，并沉积扩散阻挡层(3)，所述扩散阻挡层(3)覆盖了全部布线沟槽表面，布线下电极(2)设置在所述布线沟槽之中，与所述扩散阻挡层(3)接触；绝缘层(4)，设置在所述布线下电极(2)暴露的表面之上，且与所述布线下电极(2)相接触，所述绝缘层(4)内设置有两个钨栓塞(5)，并且这两个钨栓塞的侧壁被扩散阻挡层(3)覆盖，其中一个钨栓塞(5)利用阈值转变层(6)覆盖且与所述布线下电极(2)相接触，另一个钨栓塞(5)则用惰性金属材料覆盖且与所述布线下电极(2)接触，形成下电极引线(7)；上电极(8)，设置在所述阈值转变层(6)之上。