[发明专利]导电外壳中双绞线寄生电容和电导的提取方法有效
申请号: | 201810566383.7 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108829963B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 孙亚秀;王建丽;钱军竹;林蒙;张铭;宋文良;梁非 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
导电外壳中双绞线寄生电容和电导的提取方法涉及传输线串扰预测及消除中寄生参数提取领域,具体涉导电外壳中双绞线寄生电容和电导的提取方法。包括以下步骤:S1,通过建立了双绞线近似周期交替传输模型,得出交叉部分单线到双绞线中心轴线间距h改变,进而得到导线到导电外壳距离d |
||
搜索关键词: | 导电 外壳 双绞线 寄生 电容 电导 提取 方法 | ||
【主权项】:
1.导电外壳中双绞线寄生电容和电导的提取方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)通过建立双绞线近似周期交替传输模型,得出交叉部分单线到双绞线中心轴线间距h改变,进而得到导线到导电外壳距离di改变;(2)通过建立镜像置换提取寄生电感示意图,得出自由空间中单位长度自电感lii(FS)、自由空间中单位长度互电感lij(FS)、绝缘介质中单位长度自电感lii(INSUL)、绝缘介质中单位长度互电感lij(INSUL),并得出各层介质自由空间中单位长度电感矩阵L(FS)、绝缘层中单位长度电感矩阵L(INSUL)、自由空间中单位长度电容矩阵C(FS)、绝缘层中单位长度电容矩阵
(3)通过串联思想得出总体复合电容矩阵
并得出得出寄生净电容C和净电导矩阵G。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学,未经哈尔滨工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810566383.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。