[发明专利]一种导电金属氧化物的加工方法有效
| 申请号： | 201810569486.9 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571129B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 黄志刚 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种导电金属氧化物的加工方法，在刻蚀完的晶片后，先采用加热方式去除晶片光刻胶图形、导电金属氧化物层及金属层表面残留的卤族元素以及卤族元素化合物，可有效避免卤族元素对金属层的腐蚀，然后采用氧气（O |
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| 搜索关键词： | 一种 导电 金属 氧化物 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电金属氧化物的加工方法，其特征在于，包括步骤：/n1)于基底上形成金属层，所述金属层易与卤族元素反应造成腐蚀；/n2)于所述金属层上形成导电金属氧化物层；/n3)于所述导电金属氧化物层上形成光刻胶图形；/n4)基于所述光刻胶图形，采用含有卤族元素的气体刻蚀所述导电金属氧化物层以及所述金属层；/n5)采用加热方式去除所述光刻胶图形、所述导电金属氧化物层及所述金属层表面的卤族元素以及卤族元素化合物；以及/n6)去除所述光刻胶图形。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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