[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810569628.1 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109065630B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/04;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;杨美灵 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一氧化物半导体膜；以及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，其中，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜均包含铟、镓及锌，所述第一氧化物半导体膜中的铟的含有率比所述第二氧化物半导体膜小，而所述第一氧化物半导体膜中的镓的含有率比所述第二氧化物半导体膜大，并且，所述第二氧化物半导体膜包括c轴在平行于所述第二氧化物半导体膜被形成的表面的法线向量的方向上一致的结晶部。
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