[发明专利]一种位置及尺寸精确可控的刻蚀方法有效
申请号: | 201810569867.7 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108878283B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 雷鑫;袁志山;刘佑明;易新;王成勇 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/308 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及微纳加工的技术领域,更具体地,涉及一种位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,首先提供两块模板,然后根据芯片形状及厚度,所需刻蚀位置及刻蚀形状,制造相应模板,接着将模板和芯片装入液池,随后将刻蚀液注入液池进行刻蚀,最后清洗芯片并干燥,得到精确刻蚀后的所需芯片。本发明解决了刻蚀过程中难定位,无法刻蚀特定位置特定尺寸及形状,刻蚀效率低,刻蚀成本高的难题。本发明可以在不同形状及尺寸,不同厚度,不同材料的单层或多层复合芯片上进行刻蚀;换用不同芯片刻蚀时,只需对模板及液池进行简单加工即可装配使用。本发明既可以实现芯片的精确定位,又可实现所需位置所需尺寸及形状的精确刻蚀,制造方法简单高效,适用范围广。 | ||
搜索关键词: | 一种 位置 尺寸 精确 可控 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种位置及尺寸精确可控的刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.提供两块模板,所述模板的厚度为1μm~200μm;S2.根据芯片形状、厚度、所需刻蚀位置及所需刻蚀形状,加工制造第一刻蚀模板和第二刻蚀模板,所述第一刻蚀模板与第二刻蚀模板之间形成有与芯片配合的容置空间;S3.将芯片置于第一刻蚀模板、第二刻蚀模板之间的容置空间内,并将芯片、第一刻蚀模板、第二刻蚀模板固装在液池中;S4.将刻蚀液注入步骤S3所述液池中进行刻蚀;S5.取出经步骤S4刻蚀的芯片,并进行清洗和干燥。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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