[发明专利]一种铝酸根插层的水滑石、其制备方法及用途

摘要

本发明公开了一种铝酸根插层的水滑石，其分子式如下[Ma(II)1‑xMb(III)x(OH)2]x+(An‑)x/n·mH2O，其中Mb(III)＝Al3+；Ma(II)代表主体层板上的正二价金属阳离子，An‑是包括Al(OH)4‑在内的插层阴离子，x值为0.20～0.33(即Ma(II):Mb(III)为2～4:1)。本发明的铝酸根插层的水滑石在高温煅烧后，层间的铝酸根离子能够参与复合氧化物结构构筑，实现宏观形貌的保持。本发明还公开了所述铝酸根插层的水滑石的制备方法，以及其用作催化材料及3D打印材料的用途。

主权项

1.一种铝酸根插层的水滑石，其特征在于，其分子式如下：[Ma(II)1‑xMb(III)x(OH)2]x+(An‑)x/n·mH2O，其中Mb(III)＝Al3+；Ma(II)代表主体层板上的正二价金属阳离子，An‑是包括Al(OH)4‑在内的插层阴离子，x值为0.20～0.33。