[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810570894.6 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571357B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;蒋沙沙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，先在第一电极的侧壁上形成上窄下宽的侧墙，由此可以利用侧墙的外侧壁进行缓冲，为后续电极间介质层的覆盖提供了相对平坦的工艺表面，由此可以防止后续形成的电极间介质层和第二电极因第一电极的相对台阶高度而破裂的问题，避免产品缺陷，提高产品合格率。进一步的，所述侧墙的材质为有机化合物和/或非晶碳，在刻蚀覆盖的有机化合物和/或非晶碳而形成侧墙的过程中，可以有利于第一电极的顶部上的脱膜，而且不会对第一电极的顶部表面造成损坏，保证了产品性能。本发明还提供一种半导体器件，采用本发明的半导体器件的制造方法形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一具有层间介质层的衬底，所述层间介质层的表面上形成有第一电极，在所述第一电极的一侧的所述层间介质层中形成有焊盘开口；/n在所述第一电极的侧壁形成侧墙，所述侧墙是上窄下宽的结构；/n在所述第一电极、侧墙以及层间介质层的表面上依次形成电极间介质层以及与所述第一电极相对应的第二电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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