[发明专利]一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法在审
| 申请号： | 201810574721.1 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108957960A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王溯源;俞勇;章军云;黄念宁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法，包含如下步骤：1）制作掩模版：所述掩模版的每层光刻图形包含纯芯片层和PCM层两种版图，两种版图尺寸相同；2）设定曝光位置：按照PCM测试位置的要求，在需进行PCM测试的位置设定曝光PCM层，其他区域设置曝光对应的纯芯片层；3）设定曝光参数：分别设置PCM层和纯芯片层曝光参数；4）PCM测试。优点：1）有效降低圆片上PCM图形占空比，提高单位圆片有效芯片数目，实现成本节约和效率提升。2）不限于圆片衬底，不限于光刻机品牌和型号等，适用于所有采用步进式曝光和PCM测试技术的半导体制造工艺。3）该设计也可推广至接触式光刻机1:1的掩模制作。 | ||
| 搜索关键词： | 有效芯片 芯片层 衬底 曝光 曝光参数 掩模版 圆片 半导体制造工艺 接触式光刻机 步进式曝光 测试 测试技术 测试位置 成本节约 光刻图形 曝光位置 区域设置 位置设定 效率提升 掩模制作 单位圆 光刻机 占空比 品牌 制作 | ||
【主权项】：
1.一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法，其特征在于包含如下步骤：1）制作掩模版：所述掩模版的每层光刻图形包含纯芯片层和PCM层两种版图，两种版图尺寸相同；2）设定曝光位置：按照PCM测试位置的要求，在需进行PCM测试的位置设定曝光PCM层，其他区域设置曝光对应的纯芯片层；3）设定曝光参数：分别设置PCM层和纯芯片层曝光参数；4）PCM测试。
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