[发明专利]场效应晶体管及其应用在审
| 申请号： | 201810576387.3 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108767015A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 戴明志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管及其应用。所述场效应晶体管包括源极、漏极以及沟道区，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述沟道区上设置有作为晶体管输入极的栅极，所述栅极与沟道区之间设置有介质层，所述晶体管的输出极至少局部设于所述沟道区内或与所述沟道区直接接触。较之现有技术，本发明提供的场效应晶体管结构更为简单，可以实现反相器、非门、非门电路、与非门、或非门以及或门等多种功能，同时其制作工艺简单，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，且成本低廉，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 场效应晶体管 晶体管 漏极 源极 场效应晶体管结构 晶体管制作工艺 应用 非门电路 制作工艺 反相器 或非门 介质层 输出极 输入极 与非门 非门 沟道 或门 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括源极、漏极以及沟道区，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述沟道区上设置有作为晶体管输入极的栅极，所述栅极与沟道区之间设置有介质层，其特征在于：所述晶体管的输出极至少局部设于所述沟道区内或与所述沟道区直接接触。
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