[发明专利]一种双向迟滞比较器在审
| 申请号： | 201810576510.1 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108964639A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王俊翔;李威 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K5/24 | 分类号： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于模拟集成电路技术领域，一种双向迟滞比较器。本发明与传统的迟滞比较器相比，主要实现迟滞作用的同时不引入失调量，并且提高了电路的响应速度；此外改电路还保持有稳定性及可靠性。该双向迟滞比较器结果简单，容易实现，具有应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 迟滞比较器 电路 模拟集成电路 传统的 失调量 迟滞 响应 引入 应用 | ||
【主权项】：
1.一种双向迟滞比较器，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一反相器INV1、第二反相器INV2，第三反相器INV3、第四反相器INV4；第一PMOS管MP1源极接电源，其栅极接V1；第二PMOS管MP2源极接电源，栅极接V1；第三PMOS管MP3源极接电源，栅极接第一PMOS管MP1的漏极；第四PMOS管MP4源极接电源，栅极接第二PMOS管MP2的漏极；第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极，栅极接Va；；第二NMOS管MN2的漏极接第二PMOS管MP2的漏极，栅极接Vb；第三NMOS管MN3漏极接第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2的源极，栅极接V2，源极接地；第一反相器输入接第四PMOS管MP4的漏极，输出接第三PMOS管MP3的漏极；第二反相器输入接第三PMOS管MP3的漏极，输出接第四PMOS管MP4的漏极；第三反相器输入接第四PMOS管MP4的漏极，输出接第四反相器INV4；第四反相器输入接第三反相器输出，输出接out，为输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810576510.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
