[发明专利]具有金属通孔的半导体器件

摘要

一种半导体器件包括衬底，所述衬底具有器件隔离区，所述器件隔离区界定有源区。有源鳍位于所述有源区中。栅极结构沿与所述衬底的上表面正交的方向与所述有源鳍交叠，且在与第一方向相交的第二方向上延伸。源极/漏极区设置在所述有源鳍上。接触塞连接到所述源极/漏极区且与所述有源鳍交叠。金属通孔位于所述衬底上方的比所述接触塞的上表面高的第一水平高度且与所述有源鳍间隔开。金属线位于所述衬底上方的比所述第一水平高度高的第二水平高度且连接到所述金属通孔。通孔连接层从所述接触塞的上部部分延伸且连接到所述金属通孔。本公开提供一种具有新颖的互连结构的半导体器件，所述新颖的互连结构与相邻组件之间的短接缺陷的量减少。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，具有器件隔离区，所述器件隔离区界定有源区；有源鳍，位于所述有源区中且在第一方向上延伸；栅极结构，沿与所述衬底的上表面正交的方向与所述有源鳍交叠，且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区，设置在所述有源鳍上；接触塞，连接到所述源极/漏极区，且沿与所述衬底的所述上表面正交的所述方向与所述有源区交叠；金属通孔，位于所述衬底上方的比所述接触塞的上表面高的第一水平高度，且沿与所述衬底的所述上表面正交的所述方向与所述有源区间隔开；金属线，位于所述衬底上方的比所述第一水平高度高的第二水平高度，且连接到所述金属通孔；以及通孔连接层，从所述接触塞的上部部分延伸且连接到所述金属通孔。