[发明专利]一种发光元件及发光元件的高能离子辐射方法、抛光方法有效
| 申请号： | 201810576632.0 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110563348B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 张红秀;胡飞;李屹 | 申请（专利权）人： | 深圳光峰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00;B24B29/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的发光元件的抛光方法利用高能离子对所述发光元件进行能量梯度递增的辐射，使所述发光元件的A相在所述发光元件的表面以下的预定深度范围内产生均一的损伤，直到所述A相的莫氏硬度与所述Y相的莫氏硬度大致相同，随后将辐射后的发光元件抛光到该深度得到平坦的表面。可以避免不同相之间由于硬度和研磨速率不同而造成微米级的凹凸起伏的表面，使得在其表面粘贴的反射层等更加牢固，不容易脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 元件 高能 离子 辐射 方法 抛光 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其特征在于，所述发光元件由A相原料和Y相原料至少两种原料烧结而成，形成包括A相和Y相至少两个相的复相结构，所述A相的莫氏硬度大于所述Y相的莫氏硬度，所述A相的DPA值大于所述Y相的DPA值，受到离子辐射造成损伤后A相的莫氏硬度降低到与Y相大致相同。/n
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