[发明专利]一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法

摘要

本发明公开了一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，存储器包括衬底，衬底上由上至下依次包括源漏电极、有机半导体异质结、栅绝缘层和栅电极，有机半导体异质结与栅绝缘层之间设有聚合物驻极体层，栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，用于隔离栅电极和聚合物驻极体层之间的接触，有机半导体异质结由上至下依次包括第一空穴传输层、电子传输层和第二空穴传输层三层结构。本发明提供的三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，采用旋涂法在栅绝缘层上制备聚合物驻极体层，有利于半导体异质结、金属源漏电极的形貌生长，工艺简单，存储容量、电流开关比和存储速度得到很大提升，降低了器件制备成本，便于推广、应用。

主权项

1.一种三层异质结有机场效应晶体管存储器，其特征在于，包括衬底，所述衬底上由上至下依次包括源漏电极、有机半导体异质结、栅绝缘层和栅电极，所述有机半导体异质结与栅绝缘层之间设有聚合物驻极体层，栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，用于隔离栅电极和聚合物驻极体层之间的接触，有机半导体异质结由上至下依次包括第一空穴传输层、电子传输层和第二空穴传输层三层结构，半导体异质结与聚合物驻极体层紧密接触，覆盖在栅绝缘层表面上形成导电沟道，减小载流子隧穿时的接触势垒并促进载流子的隧穿迁移。