[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，先在形成第一电极之后的整个器件表面上形成暴露出所述第一电极顶部的台阶缓和层，再在第一电极和台阶缓和层的表面上形成电极间介质层和第二电极，其中的所述台阶缓和层可以降低第一电极的顶部相对层间介质层的上表面的台阶高度，为所述电极间介质层的覆盖提供了相对平坦的工艺表面，由此可以防止形成的电极间介质层和第二电极的破裂，避免产品缺陷，提高产品合格率。进一步的，所述台阶缓和层为具有防粘性能的有机化合物，可以有利于第一电极顶部以及焊盘开口底部上的脱膜，且不会损坏第一电极表面以及焊盘开口表面，保证了产品性能。本发明还提供一种半导体器件，采用本发明的半导体器件的制造方法形成。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一具有层间介质层的衬底，所述层间介质层的表面上形成有第一电极，在所述第一电极的一侧的所述层间介质层中形成有焊盘开口；/n在所述层间介质层和焊盘开口的表面上暴露出所述第一电极顶部的台阶缓和层，所述台阶缓和层用于降低所述第一电极顶部相对所述层间介质层的上表面的高度；/n在所述第一电极顶部以及所述台阶缓和层的表面上依次形成电极间介质层以及与所述第一电极相对应的第二电极。/n