[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810579878.3 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110581128B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 谢奇颖;陈志容;陈建宏;李志岳;邱诚朴;卢世敏;林永崧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一底材，其上具有多个鳍状结构；一绝缘氧化结构，设于该底材中，该绝缘氧化结构介于两个相邻的所述鳍状结构之间，其中该绝缘氧化结构具有一下凹的弧形顶面；一栅极，设于该多个鳍状结构上；一栅极介电层，设于该栅极与该多个鳍状结构之间；以及一漏极/源极掺杂区，设于各该多个鳍状结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：/n底材，其上具有多个鳍状结构；/n绝缘氧化结构，设于该底材中，该绝缘氧化结构介于两个相邻的所述鳍状结构之间，其中该绝缘氧化结构具有下凹的弧形顶面；/n栅极，设于该多个鳍状结构上；/n栅极介电层，设于该栅极与该多个鳍状结构之间；以及/n漏极/源极掺杂区，设于各该多个鳍状结构中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
