[发明专利]PN二极管在审
| 申请号： | 201810580650.6 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109004034A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | A·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体二极管，具有板形半导体元件(1)，所述板形半导体元件具有上侧(2)、下侧(3)和边缘(4)，其中，边缘(4)构造为直线。上侧(2)设置有连续的p掺杂层(11)并且下侧(3)设置有连续的强n掺杂层(12)。在强n掺杂层(12)和p掺杂层(11)之间布置有弱n掺杂层(13)和中等强度n掺杂层(14)。边缘(4)具有边缘沟槽(21)，在边缘沟槽中，板形半导体元件(1)的厚度减小。在边缘沟槽(21)的区域中，所述p掺杂层(11)直接接触所述弱n掺杂层(13)。从所述下侧(3)开始引入另外的沟槽(23)，所述另外的沟槽定向为不平行于所述边缘沟槽(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘沟槽 半导体元件 板形 半导体二极管 厚度减小 不平行 引入 | ||
【主权项】：
1.半导体二极管，具有板形半导体元件(1)，所述板形半导体元件具有上侧(2)、下侧(3)和边缘(4)，其中，边缘(4)构造为直线，所述上侧(2)设置有连续的p掺杂层(11)并且所述下侧(3)设置有连续的强n掺杂层(12)，在所述强n掺杂层(12)和p掺杂层(11)之间布置有弱n掺杂层(13)和中等强度n掺杂层(14)，其中，所述边缘(4)具有边缘沟槽(21)，在该边缘沟槽中所述板形半导体元件(1)的厚度减小，其中，在边缘沟槽(21)的区域中所述p掺杂层(11)直接接触所述弱n掺杂层(13)，其特征在于，从所述下侧(3)开始引入另外的沟槽(23)，所述另外的沟槽定向为不平行于所述边缘沟槽(21)。
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