[发明专利]基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路在审
| 申请号： | 201810581095.9 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108768367A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 曾正;罗子涵;王雨晴;谭浩彬 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/74;H03K17/0416;H03K17/0814;H03K17/284 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吕小琴 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路，包括开通电路、关断电路、栅极升压电路以及直流电压源VCC；所述开通电路，其输入端与直流电压源VCC的输出端连接，用于向SiC MOSFET的栅极输入驱动电压信号；关断电路，其输出端与直流电压源VCC的输出端连接，输入端与SiC MOSFET的栅极连接，用于对导通的SiC MOSFET进行关断；栅极升压电路，其输入端与直流电压源VCC的输出端连接，其输出端与SiC MOSFET的栅极连接，用于向SiC MOSFET输出延时电压信号并与驱动电压叠加并驱动SiC MOSFET导通；通过上述结构，能够有效降低SiC MOSFET的开通过冲电流，从而确保SiC MOSFET的开关速度的同时，并且能够有效提升SiC MOSFET的开关频率，并且还能够有效降低开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 直流电压源 输出端连接 输入端 升压 关断电路 开通电路 升压电路 栅极连接 输出端 导通 驱动电压信号 电压信号 开关频率 开关损耗 驱动电压 输出延时 栅极输入 关断 叠加 驱动 | ||
【主权项】：
1.一种基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：包括开通电路、关断电路、栅极升压电路以及直流电压源VCC；所述直流电压源VCC，由外部控制器输出的PWM信号控制在开通SiC MOSFET时输出正直流电压且在关断SiC MOSFET时输出负的直流电压；所述开通电路，其输入端与直流电压源VCC的输出端连接，用于向SiC MOSFET的栅极输入驱动电压信号；关断电路，其输出端与直流电压源VCC的输出端连接，输入端与SiC MOSFET的栅极连接，用于对导通的SiC MOSFET进行关断；栅极升压电路，其输入端与直流电压源VCC的输出端连接，其输出端与SiC MOSFET的栅极连接，用于向SiC MOSFET输出延时电压信号并与驱动电压叠加并驱动SiC MOSFET导通。
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