[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810584241.3 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110581163B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚;林鑫成;林信志 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包含设置于基底之上的通道层、设置于通道层之上的阻挡层、设置于阻挡层之上的栅极电极、以及设置栅极电极两侧的一对源极/漏极电极。这对源极/漏极电极至少延伸穿过部分的阻挡层。此半导体装置还包含顺应性地设置于这对源极/漏极电极的底部上的衬层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述装置包括：/n一通道层，设置于一基底之上；/n一阻挡层，设置于该通道层之上；/n一栅极电极，设置于该阻挡层之上；/n一对源极/漏极电极，设置于该栅极电极两侧且至少延伸穿过部分的该阻挡层；以及/n一衬层，顺应性地设置于该对源极/漏极电极的底部上。/n
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