[发明专利]一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810585676.X | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108831923B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 戚永乐;于洪宇 | 申请（专利权）人： | 珠海镓未来科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新区环*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管。该晶体管包括依次层叠的衬底层、沟道层和势垒层；p型栅极，位于势垒层远离衬底层的一侧；阻挡介质层，位于p型栅极远离衬底层的一侧；阻挡介质层为绝缘材料；栅极金属层，位于阻挡介质层远离所述p型栅极的一侧；源极和漏极，源极和漏极位于势垒层远离衬底层的一侧。本发明实施例提供的增强型高电子迁移率晶体管，通过在p型栅极和栅极金属层之间插入阻挡介质层，阻挡介质层可以较大幅度地提高增强型高电子迁移率晶体管的p型栅极的击穿电压，同时提高增强型高电子迁移率晶体管的阈值电压，提高栅极电压的最大摆幅，提高增强型高电子迁移率晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括依次层叠的衬底层、沟道层和势垒层；p型栅极，位于所述势垒层远离所述衬底层的一侧；阻挡介质层，位于所述p型栅极远离所述衬底层的一侧；所述阻挡介质层为绝缘材料；栅极金属层，位于所述阻挡介质层远离所述p型栅极的一侧；源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述势垒层远离所述衬底层的一侧。
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