[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810585838.X | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109103198B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金光洙;金容锡;金泰勋;裵敏敬;张在薰;金森宏治 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：在基板上的多个沟道结构，每个沟道结构在垂直于基板的第一方向上延伸并具有栅极绝缘层和沟道层；公共源极延伸区，包括具有n型导电性的第一半导体层，在基板和沟道结构之间；多个栅电极，在公共源极延伸区上并在每个沟道结构的侧壁上在第一方向上彼此间隔开；以及在基板上的公共源极区，与公共源极延伸区接触并包括具有n型导电性的第二半导体层，其中每个沟道结构的栅极绝缘层延伸以覆盖公共源极延伸区的上表面以及底表面的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在基板上的多个沟道结构，所述多个沟道结构中的每个沟道结构在垂直于所述基板的上表面的第一方向上延伸，并具有栅极绝缘层和沟道层；公共源极延伸区，在所述基板和所述多个沟道结构之间，所述公共源极延伸区包括具有n型导电性的第一半导体层；多个栅电极，在所述公共源极延伸区上并在所述多个沟道结构的每个的侧壁上在所述第一方向上彼此间隔开；以及在所述基板上的公共源极区，所述公共源极区与所述公共源极延伸区接触并包括具有n型导电性的第二半导体层，其中所述多个沟道结构的每个的所述栅极绝缘层延伸以覆盖所述公共源极延伸区的上表面以及底表面的至少一部分。
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