[发明专利]具有选择性生成的2DEG沟道的常关型HEMT晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810585995.0 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109037323B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺;G·格雷克;F·罗卡福尔特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 常关型HEMT晶体管包括：异质结构，异质结构包括沟道层和沟道层上的势垒层；异质结构中的2DEG层；与势垒层的第一区域接触的绝缘层；以及穿过绝缘层的整个厚度的栅极电极，栅极电极终止于与势垒层的第二区域接触。势垒层和绝缘层具有晶格常数的失配(“晶格失配”)，晶格常数的失配仅在势垒层的第一区域中生成机械应力，引起在位于势垒层的第一区域下方的二维传导沟道的第一部分中的第一电子浓度，第一电子浓度大于位于势垒层的第二区域下方的二维传导沟道的第二部分中的第二电子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择性 生成 deg 沟道 常关型 hemt 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种常关型高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：半导体异质结构，包括半导体沟道层以及在所述沟道层上的半导体势垒层；所述异质结构内的二维传导沟道；与所述势垒层的第一区域接触的外延绝缘层；以及延伸穿过所述外延绝缘层的整个厚度的栅极电极，所述栅极电极终止于与所述势垒层的第二区域接触，其中所述势垒层和所述外延绝缘层具有晶格常数的失配(“晶格失配”)，所述晶格常数的失配在所述势垒层的所述第一区域中生成机械应力，引起在位于所述势垒层的所述第一区域下方的所述二维传导沟道的第一部分中的第一电子浓度，所述第一电子浓度大于位于所述势垒层的所述第二区域下方的、所述二维传导沟道的第二部分中的第二电子浓度。
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