[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201810586267.1 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108597996A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 汪旭东;郭裕东;林宗德;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层；采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火。本发明方案可以有助于降低HfO2薄膜在承受高应力时发生剥落现象的可能性，从而提高半导体器件的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬底 半导体 堆叠层 退火 压应力薄膜 剥落现象 表面形成 退火工艺 高应力 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层；采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
