[发明专利]磁性粉、磁性粉的制造方法及磁记录介质在审

专利信息
申请号: 201810587154.3 申请日: 2018-06-06
公开(公告)号: CN109031902A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 藤本贵士 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G03G5/16 分类号: G03G5/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种磁特性良好的磁性粉、磁特性良好的磁性粉的制造方法及信号衰减得到抑制的耐久性良好的磁记录介质。所述磁性粉包含选自ε‑Fe2O3及式(1)所表示的化合物中的ε型氧化铁系化合物,所述磁性粉为平均粒径8nm~25nm的磁性粉,将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的式(I)的值成为零的磁场设为Hc’,将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时,Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下,且Hc’满足下述式(II),所述磁化M是由在规定的条件下进行测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。式(1)中,A表示Fe以外的金属元素,a满足0<a<2。d2M/dH2式(I);119kA/m<Hc’<2380kA/m式(II);ε‑AaFe2‑aO3(1)。
搜索关键词: 磁性粉 式( 1 ) 式( I ) 磁场 磁化 磁记录介质 磁化曲线 磁特性 氧化铁系化合物 金属元素 平均粒径 信号衰减 二阶 制造 施加
【主权项】:
1.一种磁性粉,其包含选自由ε‑Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物,所述磁性粉为平均粒径8nm~25nm的磁性粉,在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到磁场‑磁化曲线,由所述磁场‑磁化曲线求出磁化M,在将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’、将在所述磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时,Hc相对于Hc’的比值为0.6以上且1.0以下,且Hc’满足下述式(II),d2M/dH2   式(I)119kA/m<Hc’<2380kA/m    式(II)[化学式1]ε‑AaFe2‑aO3     (1)式(1)中,A表示Fe以外的至少1种金属元素,a表示满足0<a<2的数值。
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