[发明专利]嵌入式金属绝缘体金属结构在审
| 申请号： | 201810587321.4 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109817606A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 廖文翔;周淳朴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例描述一种形成金属绝缘体金属(MIM)去耦电容器的方法，所述金属绝缘体金属去耦电容器可集成(或嵌入)到例如衬底上晶片上芯片(CoWoS)芯片封装或集成扇出型(InFO)芯片封装的3D集成电路封装中。举例来说，方法包含提供玻璃载体，在玻璃载体上方具有保护层。方法还包含通过以下来在保护层上形成电容器：在保护层的一部分上形成底部金属层；在底部金属层上形成一或多个第一金属触点和第二金属触点，其中一或多个第一金属触点具有大于第二金属触点的宽度；在一或多个第一金属触点上形成介电层；以及在介电层上形成顶部金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属触点 金属绝缘体金属 保护层 底部金属层 去耦电容器 玻璃载体 芯片封装 介电层 电容器 顶部金属层 可集成 嵌入式 扇出型 上晶片 上芯片 衬底 封装 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种形成插入件结构的方法，所述方法包括：提供其上具有保护层的载体衬底；以及在所述保护层上形成电容器，其中形成所述电容器包括：在所述保护层的一部分上沉积底部金属层，其中所述底部金属层包括重布层；在所述底部金属层上方沉积光刻胶层；刻蚀所述光刻胶层以在所述光刻胶中形成多个插入件穿孔开口，其中所述多个插入件穿孔开口暴露所述底部金属层的多个相应部分；在所述多个插入件穿孔开口中沉积金属堆叠以形成多个插入件穿孔；去除所述光刻胶层；在所述多个插入件穿孔之间设置模制化合物；在所述模制化合物和所述多个插入件穿孔上沉积介电层；以及在所述介电层上沉积顶部金属层以形成所述电容器。
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