[发明专利]一种场发射阵列阴极的制备方法

摘要

一种场发射阵列阴极的制备方法，属于阴极场发射技术领域。本发明将场发射阴极基片安装在切割机上，并设定切割参数得到棱形发射体形成的初始发射体阵列，再进一步对所得发射体进行刻蚀，形成尖锥状发射体，从而制得场发射阴极尖锥阵列。本发明结合机械加工技术和刻蚀技术制备场发射阵列阴极，相比现有光刻技术结合刻蚀技术简化了工艺流程，降低了生产制作成本；同时通过得到调整机械加工参数及刻蚀工艺参数，能够得到不同阵列大小、阵列高度和阵列间距的场发射阵列阴极，制备工艺可控性强，同时避免使用有毒有害的试剂，顺应当代绿色、环保的理念；本发明制备方法重复性良好，有利于场发射阵列阴极的推广应用。

主权项

1.一种场发射阵列阴极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：采用切割机将场发射阴极基片表面切割成初始场发射阵列，所述初始场发射阵列中每个初始场发射体的形状为棱形状；步骤B：清洗步骤A所得初始场发射阵列，然后对初始场发射阵列进行刻蚀，使得初始场发射阵列的中每个初始场发射体的形状成为尖锥状，最终制得场发射阴极阵列。