[发明专利]一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复后的磁体有效
| 申请号： | 201810589062.9 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108962578B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 成问好;魏方允;王严;成走程 | 申请（专利权）人： | 深圳市瑞达美磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人： | 梁永芳 |
| 地址： | 518013 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，采用缓慢升温和分段保温制度对烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，修复过程中，磁体与目标渗透源之间始终保持宏观相对运动，所述目标渗透源由渗透助剂35‑99.9wt％和0.1‑65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成；所述方法实现了工业化生产中稳定地修复取向磁体的内部缺陷，改进了主相晶粒界面，调整了晶界相成分及结构，促进了晶界相的再分布，提高了取向烧结磁体的磁性能、热稳定性。本发明还公开了采用所述方法修复得到的磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 取向 磁体 内部 缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，其特征在于：采用加热渗透对钕铁硼烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，包括主相晶粒界面改进、晶界相再分布、晶界相成分及结构调整；修复过程中，除了目标渗透源元素相对于磁体的原子扩散迁移运动以外，目标渗透源与磁体的宏观位置不是相对固定的，而是存在宏观相对运动，该宏观相对运动并不包括球磨运动。
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