[发明专利]三维有序多孔炭材料的制备工艺及其中间体的制备工艺有效
申请号: | 201810589103.4 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108745326B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 唐谊平;毕超奇;王杰;张坤鹏 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | B01J20/30 | 分类号: | B01J20/30;B01J20/20;B01J20/28;B01D53/02 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310014 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明涉及多孔吸附材料领域,尤其涉及三维有序多孔炭材料的制备工艺及其中间体的制备工艺,其以SiO |
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搜索关键词: | 三维 有序 多孔 材料 制备 工艺 及其 中间体 | ||
【主权项】:
1.一种三维有序多孔炭材料的制备工艺,其特征在于,孔径规格为5nm≤孔径≤50nm的三维有序多孔炭材料的制备工艺包括以下制备步骤:A‑1)将适量SiO2微球悬浮液置于烘箱中在60~80℃条件下使微球沉积并去除材料的水份,得到的浓缩SiO2微球悬浮液;A‑2)将步骤A‑1)得到的浓缩SiO2微球悬浮液在500~600℃的空气氛围中煅烧4~8h,得到SiO2胶晶模板;A‑3)将炭前驱体倒入装有步骤A‑2)所制得的SiO2胶晶模板的容器中,静置3~5h,让炭前驱体充分浸渍到SiO2胶晶模板中,得到炭硅模板;A‑4)将步骤A‑3)炭前驱体充分浸渍到SiO2胶晶模板中所得到的炭硅模板放入烘箱中,在80~90℃条件下陈化20~28h,得到陈化模板;A‑5)将步骤A‑4)所得的陈化模板完全浸润在氢氟酸溶液中,去除SiO2微球,得到前驱体;A‑6)用去离子水清洗步骤A‑5)所制得的前驱体至少三次,并在40~80℃条件下烘干,除去水份,得到复合材料;A‑7)将步骤A‑6)所制得的复合材料置于800~900℃下烧结3~5h,升温速度为4~6℃/min,将其中的炭前驱体转化为炭,得到孔径为5nm~50nm的三维有序多孔碳材料。
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