[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810589182.9 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109860019A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张志宇;张翔笔;方子韦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法包含在半导体基板上形成通道区域。在通道区域上形成介面层。使用三甲基铝(TMA)处理介面层。在使用TMA处理介面层之后在介面层上形成高介电常数(高介电常数)介电质层。在高介电常数介电质层上形成栅极。使用TMA处理介面层和形成高介电常数介电质层是在同一腔室中进行。在使用TMA处理介面层之前退火介面层。退火介面层和使用TMA处理介面层是在不同的腔室中进行。 | ||
| 搜索关键词： | 介面层 高介电常数介电质 退火 半导体装置 高介电常数 通道区域 半导体基板 介电质层 三甲基铝 同一腔室 腔室 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：形成一通道区域于一半导体基板上；形成一介面层于该通道区域上；使用三甲基铝处理该介面层；在使用三甲基铝处理该介面层之后，在该介面层上形成一高介电常数介电质层；以及形成一栅极于该高介电常数介电质层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
