[发明专利]氧化炉有效
申请号: | 201810589310.X | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN110579105B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 陈志兵;李旭刚;刘东 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种氧化炉,其包括:炉腔,该炉腔包括由上而下依次划分的工艺区、隔热区、燃烧区和保温区;工艺舟,设置在工艺区,用于承载被加工工件;进气管路,用于输送工艺气体,且进气管路的出气口位于燃烧区,进气管路的进气口自炉腔的底部延伸出去;隔热结构,设置在隔热区,且隔热结构使隔热区形成进气通道,以供燃烧区中的气体通过后流入工艺区;保温结构,设置在保温区,且环绕在所述进气管路外周。本发明提供的氧化炉,其可以节省设备空间、降低设备成本,以及可以提高气流的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 氧化 | ||
【主权项】:
1.一种氧化炉,其特征在于,包括:/n炉腔,所述炉腔包括由上而下依次划分的工艺区、隔热区、燃烧区和保温区;/n工艺舟,设置在所述工艺区,用于承载被加工工件;/n进气管路,用于输送工艺气体,且所述进气管路的出气口位于所述燃烧区,所述进气管路的进气口自所述炉腔的底部延伸出去;/n隔热结构,设置在所述隔热区,且所述隔热结构使所述隔热区形成进气通道,以供所述燃烧区中的气体通过后流入所述工艺区;/n保温结构,设置在所述保温区,且环绕在所述进气管路外周。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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