[发明专利]背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810593479.2 申请日: 2018-06-11
公开(公告)号: CN108831933B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 余丁;赵有文;白永彪;沈桂英;董志远;刘京明;谢辉 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤宝平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种背表面场GaSb热光伏电池,包括:一衬底;一背电场层,其制作在衬底的背面;一背电极,其制作在背电场层上;一有源区,其制作在衬底的上面;一前电极,其制作在有源区上面的中间,该前电极的尺寸小于有源区的尺寸。本发明通过在电池背面增加一个nn+结,与原内建电场形成高低结电场,提供空穴势垒,利用能带工程提高光生载流子的收集效率,同时由于背电极附近掺杂浓度高,势垒区宽度更小,利于电子通过隧道效应贯穿势垒,使GaSb与背电极金属形成更好的欧姆接触。从而提高电池的效率。
搜索关键词: 表面 gasb 热光伏 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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