[发明专利]背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法有效
申请号: | 201810593479.2 | 申请日: | 2018-06-11 |
公开(公告)号: | CN108831933B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 余丁;赵有文;白永彪;沈桂英;董志远;刘京明;谢辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤宝平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种背表面场GaSb热光伏电池,包括:一衬底;一背电场层,其制作在衬底的背面;一背电极,其制作在背电场层上;一有源区,其制作在衬底的上面;一前电极,其制作在有源区上面的中间,该前电极的尺寸小于有源区的尺寸。本发明通过在电池背面增加一个nn+结,与原内建电场形成高低结电场,提供空穴势垒,利用能带工程提高光生载流子的收集效率,同时由于背电极附近掺杂浓度高,势垒区宽度更小,利于电子通过隧道效应贯穿势垒,使GaSb与背电极金属形成更好的欧姆接触。从而提高电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 表面 gasb 热光伏 电池 及其 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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