[发明专利]一种n型多晶硅太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种n型多晶硅太阳能电池及其制造方法，包括以下步骤：n型多晶硅片的制绒处理；在所述n型多晶硅片的上表面形成本征多晶硅层；在所述本征多晶硅层的第一区域扩散磷形成第一N型扩散区，在所述本征多晶硅层的第二区域扩散磷形成第二N型扩散区；接着在所述n型多晶硅片的上表面形成P型多晶硅；在所述n型多晶硅片的下表面沉积钝化层，并在所述钝化层中形成多个呈阵列排布的穿孔；在所述n型多晶硅片的下表面形成第三N型扩散区；在所述P型多晶硅表面沉积透明导电层；在所述透明导电层表面沉积铜栅电极；在所述n型多晶硅片的下表面金属银层，以使得所述金属银层与所述第三N型扩散区形成点接触。

主权项

1.一种n型多晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一n型多晶硅片，对所述n型多晶硅片进行制绒处理，在所述n型多晶硅片的上表面形成绒面层；2)接着在所述n型多晶硅片的上表面沉积本征非晶硅层，然后进行第一热处理，使得所述本征非晶硅层变成本征多晶硅层；3)接着在所述本征多晶硅层的第一区域扩散磷形成第一N型扩散区，在所述本征多晶硅层的第二区域扩散磷形成第二N型扩散区，其中，所述第一N型扩散区的掺杂浓度大于所述第二N型扩散区的掺杂浓度，且所述第一N型扩散区的掺杂浓度小于所述n型多晶硅片的掺杂浓度；4)接着在所述n型多晶硅片的上表面沉积P型非晶硅，然后进行第二热处理，使得所述P型非晶硅变成P型多晶硅，所述P型多晶硅的掺杂浓度小于所述第一N型扩散区的掺杂浓度；5)接着在所述n型多晶硅片的下表面沉积钝化层，并对所述钝化层进行选择性刻蚀，以形成多个呈阵列排布的穿孔；6)接着在所述n型多晶硅片的下表面选择性扩散磷，以在每个所述穿孔处形成第三N型扩散区，其中，所述第三N型扩散区的掺杂浓度大于所述n型多晶硅片的掺杂浓度；7)接着在所述P型多晶硅表面沉积透明导电层；8)接着在所述透明导电层表面沉积铜栅电极；9)在所述步骤8得到的所述n型多晶硅片的下表面金属银层，以使得所述金属银层与所述第三N型扩散区形成点接触。