[发明专利]一种硅基光伏电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种新型硅基光伏电池及其制造方法，包括以下步骤：P型单晶硅片的制绒处理，在所述P型单晶硅片的下表面制备多个呈阵列排布的P+掺杂区，设置阻挡层并在含氧气氛中进行热处理，使得所述P型单晶硅片中的所述第二区的表面掺杂浓度低于所述P型单晶硅片内部的掺杂浓度，在所述P型单晶硅片的上表面形成N型多晶硅，在所述N型多晶硅表面沉积透明导电层，接着在P型单晶硅片的上下表面分别制备铜栅电极金属铝层，以使得所述金属铝层与所述P+掺杂区形成点接触。

主权项

1.一种新型硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一P型单晶硅片，对所述p型单晶硅片进行制绒处理，在所述p型单晶硅片的上表面形成绒面层；2)利用掩膜在所述P型单晶硅片的下表面选择性扩散硼，以在所述P型单晶硅片的下表面形成多个呈阵列排布的P+掺杂区；3)接着在所述P型单晶硅片的上表面的局部区域形成第一阻挡层，将所述P型单晶硅片分为第一区和第二区，所述第一阻挡层覆盖所述第一区，且所述第二区未被所述第一阻挡层覆盖，在所述P型单晶硅片的下表面形成第二阻挡层，所述第二阻挡层完全覆盖所述P型单晶硅片的下表面；4)接着将步骤3得到的P型单晶硅片在含氧气氛中进行热处理，在所述P型单晶硅片的上表面形成氧化硅层，使得所述P型单晶硅片中的所述第二区的表面掺杂浓度低于所述P型单晶硅片内部的掺杂浓度；5)接着去除所述P型单晶硅片的上表面的所述第一阻挡层和和所述氧化硅层；6)接着在所述P型单晶硅片的上表面沉积N型非晶硅，然后进行退火处理，N型非晶硅变成N型多晶硅；7)接着在所述N型多晶硅表面沉积透明导电层；8)接着对所述第二阻挡层进行选择性刻蚀，以在每个所述P+掺杂区的对应位置形成穿孔，每个所述穿孔暴露相应的每个所述P+掺杂区；9)在所述步骤8得到的所述P型单晶硅片的上表面沉积铜栅电极；10)在所述步骤9得到的所述P型单晶硅片的下表面沉积金属铝层，以使得所述金属铝层与所述P+掺杂区形成点接触。