[发明专利]一种用于光伏电池板上的丝网印制工艺

摘要

本发明公开了一种用于光伏电池板上的丝网印制工艺，主要包括如下步骤：硅棒切片：采用多线切割的方式将硅棒切割成正方形硅片；清洗硅片：用酸溶液去除硅片表面的切割损伤；制备绒面：用碱溶液在硅片表面制备绒面；磷扩散：采用涂布源进行扩散并制成PN+结；周边刻蚀：通过掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀并去除硅片周边的扩散层；去除PN+结：通过湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结；制作矽胶层：硅片表面覆盖一层用于提高入射率的矽胶层；制作减反射膜：在矽胶层表面覆盖一层减反射膜；丝网印制：通过丝网印制方法完成背场、背电极、正栅线金属电极的制作；烧结：将电池芯片烧结于镍或铜底板上；测试分档：按规定参数规范，测试后进行分类。

主权项

1.一种用于光伏电池板上的丝网印制工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：硅棒切片：采用多线切割的方式将硅棒切割成正方形或圆形的硅片；步骤S2：清洗硅片：对切下来的硅片进行清洗，然后用酸(或碱)溶液去除硅片表面30－50um厚的切割损伤层；步骤S3：制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀，从而在硅片表面制备绒面；步骤S4：磷扩散：采用涂布源(或液态源，或固态氮化磷片状源)进行扩散并制成PN+结，结深设为为0.3um至0.5um；步骤S5：周边刻蚀：扩散时，硅片周边表面形成扩散层，通过掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀并去除硅片周边的扩散层；步骤S6：去除背面PN+结：通过湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结；步骤S7：制作矽胶层：通过真空镀膜法在硅片表面覆盖一层用于提高入射率的矽胶层；步骤S8：制作减反射膜：通过真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法在矽胶层表面覆盖一层用于减少反射的减反射膜，从而构成能够发电的电池芯片；步骤S9：丝网印制：通过装片‑背电极印制‑烘干‑背场印制‑烘干‑翻转‑正栅线印制‑烘干的方法完成背场、背电极、正栅线金属电极的制作；步骤S10：烧结：将电池芯片烧结于镍或铜底板上；步骤S11：测试分档：按规定参数规范，测试后进行分类。