[发明专利]发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法在审
| 申请号： | 201810596840.7 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108735867A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;崔晓慧;尧刚;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱结构 发光二极管 量子阱层 依次层叠 芯片 氮化镓缓冲层 发光量子点 电子空穴 发光效率 波函数 阻拦层 衬底 交迭 制造 复合 | ||
【主权项】：
1.一发光二极管的芯片，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，其中所述缓冲层层叠于所述衬底；一N型导电层，其中所述N型导电层层叠于所述缓冲层；一有源区，其中所述有源区由循环生长的量子垒层和量子阱结构构成，其中所述量子阱结构包括至少两部分量子阱层，每部分所述量子阱层依次层叠且被设置于所述N型导电层之上，其中至少一个部分所述量子阱层形成复合阱；一P型电子阻拦层，其中所述P型电子阻拦层被设置于所述有源区之上；一P型导电层，其中所述P型导电层被设置于所述P型电子阻拦层之上；一N型电极，其中所述N型电极电连接于所述N型导电层；以及一P型电极，其中所述P型电极电连接于所述P型导电层。
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