[发明专利]具有拟接地电位的内存电路有效
| 申请号： | 201810596916.6 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110580930B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陈曜洲;陈印章 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有拟接地电位的内存电路，包含：记忆单元、内存控制电路以及拟接地电压产生电路。内存控制电路包括：位准偏移电路，耦接于可变供应电压，根据第一地址信号而产生驱动信号；以及驱动电路，与拟接地电压产生电路耦接于拟接地节点，以可变供应电压为电源，且根据驱动信号而产生存取信息，用以对记忆单元进行数据存取；其中于高电压操作下，可变供应电压提供第一供应电位，使得存取信息的高位准对应于第一供应电位，且拟接地电压产生电路于拟接地节点提供拟接地电位，其中第一供应电位与拟接地电位的电位差小于驱动电路的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接地 电位 内存 电路 | ||
【主权项】：
1.一种内存电路，用以进行一高电压操作或一低电压操作以存取一数据，该内存电路包含：/n一记忆单元，用以储存该数据；/n一内存控制电路，用以控制该记忆单元；以及/n一拟接地电压产生电路，与该内存控制电路耦接于一拟接地节点；/n其中该内存控制电路包括：/n一位准偏移电路，耦接于一可变供应电压，根据一第一地址信号而产生一驱动信号；以及/n一驱动电路，耦接于该位准偏移电路、该拟接地节点以及该记忆单元，该驱动电路以该可变供应电压为电源，且根据该驱动信号而产生一存取信息，用以对该记忆单元进行该高电压操作或该低电压操作；/n其中于该高电压操作下，该可变供应电压提供一第一供应电位，使得该存取信息的一高位准对应于该第一供应电位，且该拟接地电压产生电路于该拟接地节点提供一拟接地电位，其中该第一供应电位与该拟接地电位的电位差小于该驱动电路的一耐压；/n其中于该低电压操作下，该可变供应电压提供一第二供应电位，使得该存取信息的该高位准对应于该第二供应电位，该拟接地电压产生电路将该拟接地节点电连接至一共同接地电位。/n
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