[发明专利]一种光电平板探测器及其基板结构在审
| 申请号： | 201810598279.6 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109686811A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 秦斌 | 申请（专利权）人： | 南京迪钛飞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/115 | 分类号： | H01L31/115 |
| 代理公司： | 北京恒和顿知识产权代理有限公司 11014 | 代理人： | 蔡志勇 |
| 地址： | 210038 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电平板探测器及其基板结构，该器件核心基板结构包含一层有源矩阵基板层、一层光电探测器层、一层闪烁体层。有源矩阵基板上由一个个像素区域以及外围电路组成，本发明通过改进光电探测器层的结构，抑制相邻像素之间的电场干扰，来改善成像传感器的重影以及光交叉问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基板结构 光电探测器 平板探测器 源矩阵基板 成像传感器 电场干扰 器件核心 闪烁体层 外围电路 相邻像素 像素区域 光交叉 重影 改进 | ||
【主权项】：
1.一种光电平板探测器基板，其特征在于，含有一层有源矩阵基板层、一层光电探测器层、一层闪烁体层，射线经过闪烁体层转化为可见光，可见光再通过光电探测层转化为电子，有源矩阵基板层通过子像素对电子进行信号处理；相对应的，在光电探测层上也有像素通过挡墙互相间隔开并且和有源矩阵基板上的像素一一对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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